中國市場電鏡新品匯總 電子顯微鏡價格( 三 )


國儀量子|場發射掃描電子顯微鏡SEM5000


場發射掃描電鏡SEM5000
參考價格:200-300萬元
新品場發射掃描電子顯微鏡SEM5000,是一款高分辨的多功能掃描電鏡,分辨率優于1 nm,放大倍數超過一百萬倍 。SEM5000的新型鏡筒,優化了電子光路設計,采用高壓隧道技術,在高電壓和低電壓下均能實現高質量成像;系統配置了無漏磁物鏡,實現了無漏磁高分辨成像,適用于磁性樣品分析;可選配多種探測器及其它分析儀器,能夠滿足用戶的各種需求 。將廣泛應用于鋰電池材料、新型納米材料、半導體材料、礦物冶金、地質勘探、生物等領域 。
透射電鏡:冷凍電鏡、球差電鏡,國產掃描透射
透射電鏡方面,面向高端市場的掃描透射電鏡成為新品主流 。日本電子新一代冷凍電鏡JEM-3300年初上市 。賽默飛球差電鏡新品Spectra Ultra、掃描透射電鏡新品Talos F200E更加關注半導體領域 。國產方面,基于生物到實驗室和生物物理所合作,針對病理組織樣本高通量成像需求的專用掃描透射電子顯微鏡SmartView發布 。
日本電子|新型冷凍電鏡JEM-3300
新型冷場發射低溫電子顯微鏡(cryo-EM)——CRYO ARM?300 II (JEM-3300)
發布時間:1月22日
參考價格:3000-5000萬元
JEM-3300新型冷凍電鏡基于“快速、易于操作、獲得高對比度和高分辨率圖像”的理念而開發 。與之前的CRYO ARM? 300相比,JEM-3300可進行高質量數據的快速采集、操作簡便,并在通量方面有大幅提升 。
主要特點:通過最佳電子束控制實現高速成像,獨特的“Koehler mode”照射模式允許均勻電子束照射到樣品的特定位置,JEM-3300吞吐量相比上一代提升兩倍或更高;提高了高質量圖像采集的硬件穩定性,配備了一種新型冷場發射槍(cold FEG)、新的柱內 Omega 能量過濾器;系統升級后可操作性更高等 。
賽默飛| 球差校正透射電鏡Spectra Ultra


新一代掃描透射電鏡Spectra Ultra S/TEM
發布時間:3月3日
參考價格:2500-5000萬元
全新Spectra Ultra在數分鐘內即可靈活優化高級成像和分析條件 。出于加快材料研究進程以及高通量需求,用戶現在可以以非??斓乃俣确€定地調節加速電壓 。這極大擴展了研究的樣品范圍,最大程度地減少了電子束損傷,并顯著降低了工具的優化耗時 。
“配置了Ultra-X的Spectra Ultra改變了材料科學研究人員和半導體從業者的游戲規則 。它可以通過迅速施加不同的加速電壓來顯著減少電子束損傷,并且用戶將能夠檢測極低濃度的輕元素 ?!辟惸w世爾材料科學副總裁Rosy Lee表示,“此外,與其他商業化解決方案相比,用戶可以以更高的分辨率快速成像快速分析,以研究新材料和改進現有材料 ?!?br /> 賽默飛| Talos F200E掃描透射電鏡
Talos F200E掃描透射電鏡
發布時間:3月17日
參考價格:600-1500萬元
Talos F200E (S)TEM提供原子級分辨率成像、快速EDS)分析和增強的數據可靠性,專為滿足半導體行業日益增長的需求而設計 。且具有成本效益,易用性高,幫助半導體實驗室實現快速的樣品表征,加快可以量產的速度,提高制程良率 。
“隨著創新的步伐不斷加快,半導體企業要求其分析實驗室加快周轉時間,并在各種設備和工藝技術上提供更可靠和可復現的(S)TEM數據,以支持他們的業務,”賽默飛半導體事業部副總裁Glyn Davies表示,“Talos F200E通過提供高質量的圖像數據、快速的化學分析和行業領先的缺陷表征等特質,可以為客戶提供高性價比、易用的解決方案 ?!?br /> 納鏡鼎新|高通量生物掃描透射電子顯微鏡SmartView


高通量生物掃透電子顯微鏡智眸365(Smart View 365)
發布時間:7月28日
智眸365(Smart View 365)以其高通量、全自動、超高清圖像的優越特性在降低人員工作強度的同時為專家分析和診斷病理提供更多的信息,有效提高診斷的效率與正確率 。滿足專業用戶對超微病理診斷的需求 。
主要特點包括:高通量高效率,插入病理切片樣品倉,選定工作模式,一次性自動連續完成多至500個樣品成像等;高分辨,分辨率高達0.9nm STEM圖像;高穩定運行,長壽命、超穩定的場發射電子源;使用簡單等 。
聚焦離子束顯微鏡
賽默飛|Helios 5 EXL晶圓雙束透射電子顯微鏡
Helios 5 EXL晶圓雙束透射電子顯微鏡
發布時間:4月21日
參考價格:700-1500萬元
Helios 5 EXL旨在滿足半導體廠商隨著規?;洜I而不斷增加的樣品量以及相應的分析需求 。這款產品擁有的機器學習和先進的自動化能力,可提供精確的樣品制備,以支持5納米以下節點技術和全環繞柵極半導體制程以及良率提高 。

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