【內存時序和性能的關系介紹 內存時序對性能有多大影響】關于如何挑選內存 ， 玩家對容量、頻率、電壓、顆粒來源等等參數早已了然于心 。不過對于內存的時序 ， 它究竟有什么用處 ， 對性能有何影響 ， 相信不少玩家都答不上來 。最近影馳對內存時序進行了一個簡單的科普 ， 快來了解一下吧 。
內存時序一般由中間用破折號隔開的4個數字組成 ， 這些數字都表示延遲 ， 也就是內存的反應時間 。當內存接收到CPU發來的指令后 ， 通常需要幾個時鐘周期來處理它 ， 比如訪問某一塊數據 ， 這就對應時序參數 。這個處理時間越短 ， 內存性能越好 。
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內存時序4個數字對應的參數分別為CL、tRCD、tRP、tRAS ， 單位都是時間周期 。其中CL是一個準確的值 ， 任何改動都會影響目標數據的位置 ， 所以它在時序當中是最關鍵的一個參數 ， 對內存性能的發揮著舉足輕重的作用 。
CL（CAS Latency）：列地址訪問的延遲時間 ， 是時序中最重要的參數所以在保障穩定性的前提下 ， 內存時序越低越好 ， 而高頻率和低時序是個矛盾體 ， 一般頻率上去了 ， 時序就得有所犧牲 ， 要想足夠低的時序 ， 頻率又很難拔高 。
tRCD（RAS to CAS Delay）：內存行地址傳輸到列地址的延遲時間
tRP（RAS Precharge Time）：內存行地址選通脈沖預充電時間
tRAS（RAS Active Time）：行地址激活的時間
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最后還放了一個測試成績圖 ， 在內存頻率不變的情況下 ， 可以看到 ， 內存的性能隨著時序的變小而不斷變強 。
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