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源極、柵極、漏極的定義如下：
源極（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應管 。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電，因此稱為雙極型晶體管，而FET僅是由多數載流子參與導電，它與雙極型相反，也稱為單極型晶體管 。
柵極由金屬細絲組成的篩網狀或螺旋狀電極 。多極電子管中排列在陽極和陰極之間的一個或多個具有細絲網或螺旋線形狀的電極，起控制陰極表面電場強度從而改變陰極放射電流或捕獲二次放射電子的作用 。
漏極在兩個高摻雜的P區中間，夾著一層低摻雜的N區（N區一般做得很薄），形成了兩個PN結 。在N區的兩端各做一個歐姆接觸電極，在兩個P區上也做上歐姆電極，并把這兩P區連起來，就構成了一個場效應管 。
不一樣 。
MOS管是電壓控制器件，三極管是電流控制器件 。
MOS管比較抽象，是因為絕大部分學校對于MOS的教學比較粗糙，很少教 。
MOS管特別怕靜電，要是不小心，就容易壞，比三極管要難使用 。
三極管是電流放大器件，有三個極，分別叫做集電極C，基極B，發射極E 。分成NPN和PNP兩種 。
MOS管的源(source)和漏(drain)是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區 。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能 。這樣的器件被認為是對稱的 。
三極管的工作原理
三極管是電流放大器件，有三個極，分別叫做集電極C，基極B，發射極E 。分成NPN和PNP兩種 。我們僅以NPN三極管的共發射極放大電路為例來說明一下三極管放大電路的基本原理 。
一、電流放大
下面的分析僅對于NPN型硅三極管 。如上圖所示，我們把從基極B流至發射極E的電流叫做基極電流Ib；把從集電極C流至發射極E的電流叫做集電極電流 Ic 。這兩個電流的方向都是流出發射極的，所以發射極E上就用了一個箭頭來表示電流的方向 。三極管的放大作用就是：集電極電流受基極電流的控制（假設電源 能夠提供給集電極足夠大的電流的話），并且基極電流很小的變化，會引起集電極電流很大的變化，且變化滿足一定的比例關系：集電極電流的變化量是基極電流變 化量的β倍，即電流變化被放大了β倍，所以我們把β叫做三極管的放大倍數（β一般遠大于1，例如幾十，幾百） 。如果我們將一個變化的小信號加到基極跟發射 極之間，這就會引起基極電流Ib的變化，Ib的變化被放大后，導致了Ic很大的變化 。三極管是電流控制型器件 。
真正要弄明白三極管的工作原理要學量子力學，固體物理學，半導體物理學，晶體管原理4門課
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管 。
或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體 。
MOS管的源(source)和漏(drain)是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區 。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能 。這樣的器件被認為是對稱的 。
【源極 柵極 漏極是什么？】當MOS電容的柵極(Gate)相對于襯底(BACKGATE)正偏置時發生的情況 。穿過GATE DIELECTRIC的電場加強了，有更多的電子從襯底被拉了上來 。同時，空穴被排斥出表面 。隨著GATE電壓的升高，會出現表面的電子比空穴多的情況 。由于過剩的電子，硅表層看上去就像N型硅 。摻雜極性的反轉被稱為inversion，反轉的硅層叫做溝道(channel) 。隨著GATE電壓的持續不斷升高，越來越多的電子在表面積累，channel變成了強反轉 。Channel形成時的電壓被稱為閾值電壓Vt 。當GATE和BACKGATE之間的電壓差小于閾值電壓時，不會形成channel 。所以MOS是電壓控制型器件 。
