IGBT的主要材料有外部為封裝用的陶瓷；內部件是銀絲、黃金鍍膜和透明硅膠等 。IGBT是絕緣柵雙極型晶體管 ， 是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件 。兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點 。
GTR飽和壓降低 ， 載流密度大 ， 但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小 ， 開關速度快 ， 但導通壓降大 ， 載流密度小 。IGBT綜合了以上兩種器件的優點 ， 驅動功率小而飽和壓降低 。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域 。
【IGBT的主要材料有哪些】
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