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數據來源：Gamebench
通過Gamebench的幀率記錄，realme 真我X50 Pro運行《和平精英》時達到60幀滿幀是毫無壓力的，而且幀率曲線非常平穩，全程幾乎沒有波動，可見使用realme 真我X50 Pro運行《和平精英》這樣的游戲是輕輕松松 。
然后我們在打開《QQ飛車手游》，同樣使用Gamebench記錄游戲幀率，我們可以看到，在高畫質高幀率狀態下，realme 真我X50 Pro運行《QQ飛車手游》能夠達到90幀，對比現在市面上其它手機玩《QQ飛車手游》，幀率通常穩定在55-60左右，使用realme 真我X50 Pro游戲體驗更佳 。
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數據來源：Gamebench
拋開幀率，玩《QQ飛車手游》這樣充滿著速度與激情的游戲擁有高幀率，在漂移時的手感，每一次剎車、每一個急彎，都能夠明顯感覺到車身的移動更加順滑，尤其是碰撞后的減速效果，更流暢的手感對每個操作都提升明顯 。
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總的來說，realme 真我X50 Pro在運行《和平精英》的游戲時能夠非常順暢毫無壓力，對于喜歡這類游戲的用戶可以放心啦 。而對于像《QQ飛車》這樣支持高幀率運行的的游戲，realme 真我X50 Pro的90Hz刷新率屏幕更是優勢盡顯，轉彎漂移都給人一種更加暢快的感覺 。
另外，為了保證手機的性能，realme 真我X50 Pro采用了五重立體冰封散熱Pro，通過多層結構與多種散熱材料的組合，最大程度保證手機的良好散熱表現 。對比上一代熱管，面積增加339%，能夠100%覆蓋核心熱源，顯著降低溫度，散熱能力大幅提升 。
除了處理器性能的快以外，realme還將目光轉向了手機的存儲能力，因此在手機的ROM和RAM上，也都選擇了當下最新且最快的，比如LPDDR5，比如雙通道UFS 3.0+Turbo Write+HPB的技術 。
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RAM方面，realme 真我X50 Pro 5G是首批采用LPDDR5運行內存的手機，LPDDR5相對LPDDR4X，速度提升29%，功耗降低14% 。ROM方面，realme 真我X50 Pro 5G采用雙通道UFS3.0+Turbo Write+HPB的技術 。Turbo Write可以最大程度提升器件順序寫的性能，加入HPB的優勢在于解決長時間使用之后的性能下降問題 。
存儲速度我們也通過直觀的方式給大家展現——不如跑個分吧 。
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realme讀寫成績（左）與LPDDR4X手機（右）對比
從上圖我們可以看到，realme 真我X50 Pro在LPDDR5以及雙通道UFS 3.0的加持下，隨機讀寫速度上遠遠甩出去年旗艦產品一大截 。更快的讀寫速度也意味著，realme 真我X50 Pro不論是文件傳輸速度還是應用啟動速度等，都將與其它手機拉開差距，用戶體驗大幅提升 。
值得一提的是，本次realme 真我X50 Pro沒有“乞丐版”，存儲選擇上8GB+128GB起步 。對于5G時代來說，以前的64GB的ROM在去掉系統占用空間用戶能夠使用的大概也就40GB左右，對于現在的用戶來說是遠遠不夠的 。所以realme 真我X50 Pro的128GB起步比起64GB來說，不是翻一倍 。64GB可用空間僅40GB左右，128GB則是還有100GB多可供用戶用，達到了接近2.5倍的差距 。而128GB，才是5G時代的“起步價” 。
65WSuperDart充電更快 GaN充電器小身材大能量
前面提到了一系列的很“快”的配置，比如高刷新率屏幕、強悍的性能等，而這些對于手機的電量其實是是一個很大的負擔，而realme 真我X50 Pro為了讓這樣暢快的體驗更好的服務用戶，于是為手機標配了全新65W SuperDart（10V6.5A）超級閃充，讓那個手機能夠快速回血持久續航 。
通過實測，realme 真我X50 Pro的65WSuperDart超級閃充能夠在3分鐘充入15%的電量，充滿4200mAh雙電芯電池也僅需35分鐘，充電測試結果如下圖：
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需要注意的是，本次realme 真我X50 Pro全系標配GaN充電適配器 。GaN是一種先進的半導體材料，不但可以有效縮小充電器體積，還能提高充電效率，同時減少發熱 。
通過與61W的MacBook電源適配器對比我們能夠明顯的看到，realme 真我X50 Pro的GaN電源適配器體積對比MacBook的電源適配器要小不少，出門攜帶也會更加方便 。
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電源適配器大小對比
當然，回血能力是一回事，續航能力就是另一回事了 。為了測試realme 真我X50 Pro的續航能力，我們進行了5小時續航測試，來模擬用戶的日常手機使用情況 。在測試過程中，realme 真我X50 Pro全程開啟5G網絡，屏幕刷新率為默認的“智能切換” 。
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