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你必須要知道 場效應管參數

電壓電流電容場效應管

場效應晶體管參數(你必須知道)
什么是場效應管？場效應晶體管簡稱場效應晶體管 。有兩種主要類型:結型場效應晶體管——JFET和金屬氧化物半導體場效應晶體管(簡稱金屬氧化物半導體場效應晶體管) 。場效應管的基本參數是什么？
(1)場效應晶體管的基本參數
(1)夾斷電壓UP，也稱為截止柵電壓UGS(OFF)，是耗盡型結型FET或耗盡型絕緣柵型FET的源極接地時，將漏極-源極輸出電流降至零所需的柵源電壓UGS 。
②導通電壓UT，又稱閥電壓，是當漏源電壓UDS為一定值時，能使增強型絕緣柵FET的漏源開始導通的最小柵源電壓UGS 。
③飽和漏電流IDSS是柵源電壓UGS為零，漏源電壓UDS大于夾斷電壓Up時耗盡型FET的漏極電流 。
④擊穿電壓BUDS和BUGS

A.漏源擊穿電壓BUDS 。也叫漏源耐壓，是當FET的漏源電壓UDS增大到一定值，使得漏電流ID突然增大，不受柵極電壓控制時的最大漏源電壓 。
B.柵源擊穿電壓BUGS 。是場效應晶體管柵極和源極之間的最大工作電壓 。
⑤耗散功率PD也叫漏極耗散功率，約等于漏極-源極電壓UDS與漏極電流ID的乘積 。
⑥漏電流IGSS是反向偏置施加到場效應管柵溝道結時產生的反向電流 。
⑦ DC輸入電阻RGS，又稱柵源絕緣電阻，是FET在反向偏置電壓作用下的柵溝道電阻，約等于柵源電壓UGS與柵電流之比 。
⑧漏源動態電阻RDS是漏源電壓UDS的變化與漏電流ID的變化之比，一般大于幾千歐姆 。
⑨低頻跨導gm，也叫放大特性，是柵極電壓UG對漏極電流ID的控制能力，類似三極管的電流放大值 。
⑩極間電容是FET各極間分布電容形成的雜散電容 。柵電容(輸入電容)CGS和柵漏電容cGD的電容為1~3pF，漏源電容CDS的電容為0.1~1pF 。
場效應晶體管的主要參數
1.導通電壓
通常，導電溝道剛形成，漏極電流ID出現時的柵源電壓稱為導通電壓，用UGS(th)或UT表示 。
導通電壓UT是MOS增強型晶體管的一個參數 。當柵源電壓UGS小于導通電壓的絕對值時，場效應晶體管不能導通 。
2.夾斷電壓上升(JFET)
當UDS為固定值(如10V)，ID等于小電流(如50mA)時，柵極和源極之間施加的電壓為夾斷電壓 。當UGS =上升時，漏極電流為零 。
3.飽和漏極電流IDSS (JFET)
飽和漏極電流IDSS是在UGS =0的條件下，FET被預夾斷時的漏極電流 。IDSS場效應管可以輸出的最大電流 。
4.DC輸入電阻RGS
DC電阻RGS是施加漏極-源極短路和柵極-源極電壓時柵極和源極之間的DC電阻 。
結型場效應管:RGS》107MOS晶體管:RGS 109 ~ 1015 。
5.跨導Gm
漏電流微變量與柵源電壓微變量之比，即gm=△ID/△UGS 。它是衡量場效應晶體管柵源電壓對漏電流控制能力的一個參數 。Gm相當于三極管的hFE 。
6.最大功耗
最大漏極功耗PD=UDSID，相當于三極管的PCM 。以上對激素場效應晶體管的常見參數進行了分析，希望對大家有所幫助 。
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