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3分鐘了解晶體生長技術 晶體生長( 二 )

技術晶體生長


2)生長出的晶體形狀是事先固定的，所以絲和箔形狀的晶體容易生長出來；
3)取向往往容易控制；
4)在除去溶劑化以外的固相生長中，雜質和其他添加劑成分的分布在生長之前是固定的，并且不受生長過程的改變(除了由于相當緩慢的擴散而略有改變) 。
從固相生長晶體有五種主要方法:
(1)退火用于消除應變的再結晶；
(2)燒結生長；
(3)利用多態性進行轉化和生長；
(4)失透再結晶；
(5)通過固體沉淀進行重結晶(有時稱為去溶劑化生長，這種方法尚未用于單晶生長) 。

晶體生長方法的分類
一般來說，如果把晶體生長的整個過程分解，至少應該包括以下基本過程:溶質溶解、晶體生長元素的形成、晶體生長元素在生長介質中的輸運、晶體生長元素在晶體表面的運動和結合以及晶體生長界面的過渡，從而實現晶體生長 。因此，從宏觀角度來看，晶體生長過程是晶體與環境相(蒸氣、溶液和熔體)的界面不斷向環境相轉移的過程，即含有晶體單元的母相由低序相轉變為高序相 。從微觀上看，晶體生長過程可以看作是一個“初等”過程，所謂“初等”是指結晶過程中最基本的結構單元 。廣義而言，“元素”可以是原子、分子，也可以是具有一定幾何構型的原子(分子)聚集體 。

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