p型半導體和n型半導體 半導體分立器件


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1、1 硅或鍺晶體本身只電中性的,摻入三價元素雜質后的P型半導體仍然是電中性的 。
2、原因是摻入的三價元素本身也是電中性的(最外層三個電子;相應的,原子核的電量為+3) 。
3、所以摻雜后仍然是電中性2 摻入入五價元素后形成N型半導體 。
4、所謂電子多是指“自由電子”多 。
5、例如摻入了一個磷原子,其原子核電量為+5,外層有5個價電子,電量為-5 。
6、本身是電中性的 。
7、但由于硅/鍺晶體的結構所限,只能和周圍的4個硅/鍺原子形成共價鍵 。
8、這時,就多余出一個電子,這叫做自由電子,是可以用來導電的 。
9、3 摻入三價元素后形成P型半導體,原理同上 。
10、空穴是相對于電子而言的 。
11、P型雜質如硼 , 有3個價電子,與四周4個硅/鍺結合時少一個電子 , 這樣留下的空位叫做空穴 。
12、有個電子過來填補了空缺,這個電子原來的位置就空出來了,形成了新的空穴,因此電子和空穴的移動方向是正好相反的 。
13、實際上說白了就是電子在移動 。
14、4 雖然P型半導體和N型半導體都是中性的,但結合在一起時,在交界處一邊空穴多,另一邊電子多,所以空穴和電子會產生擴散運動,向濃度低多方向擴散,形成PN結其實空穴只是電子移動后留下的空位而已 。
15、不論什么半導體 , 之所以呈電中性是因為電子帶的總負電荷數與原子核帶的總正電荷數始終是相等的具體可以參考模擬電路的教科書 , 上面有圖,看起來更易理解 。
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