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SIC哪家上市公司實現量產 SIC龍頭上市公司有哪些

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摩爾定律已逼近物理極限 ?！熬聿贿^”就換賽道，寬禁帶半導體成為后摩爾時代半導體發展的“蹊徑”之一，而在這一領域，國內企業有望實現彎道超車 。
寬禁帶半導體是指禁帶寬度在2.3eV及以上的半導體材料，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表，也稱“第三代半導體” 。采用SiC、GaN材料制備的半導體器件不僅能在更高的溫度下穩定運行，適用于高電壓、高頻率場景，還能以較少的電能消耗，獲得更高的運行能力 。
硅基氮化鎵（GaN on Si）功率器件企業英諾賽科董事長駱薇薇近日在2022年ISES China峰會上表示，寬禁帶半導體不屬于先進工藝，對設備的依賴會小一點，其涉及的很多設備目前基本上可以在國內獲得，核心設備后期也可以實現自主可控 ?！斑@是一個新賽道，我們有機會獲得突破 ?！?br /> 寬禁帶半導體：換道超車重要領域
硅（Si）材料的潛力已逐漸開發殆盡 。相比于硅，SiC具有其10倍的擊穿電場強度、3倍的禁帶寬度、2倍的極限工作溫度和超過2倍的飽和電子漂移速率 。SiC還具有3倍的熱導率，這意味著3倍于Si的冷卻能力 。而GaN則具備比SiC更寬的禁帶寬度、擊穿電場強度及飽和電子漂移速率 。

SIC哪家上市公司實現量產 SIC龍頭上市公司有哪些

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目前Si仍是半導體材料主流，占比95% 。Yole預測，第三代半導體滲透率將逐年上升，SiC滲透率在2023年有望達到3.75%，GaN滲透率在2023年達到1.0% 。
SIC哪家上市公司實現量產 SIC龍頭上市公司有哪些

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根據CASA數據，2020年我國第三代半導體整體產值超7100億元 。其中，SiC、GaN電力電子產值規模達44.7億元，同比增長54%；GaN微波射頻產值達到60.8億元，同比增長80.3% 。
據悉，總體來看，寬禁帶半導體國內和海外的技術代差并不大 ?！癝iC材料方面，國際上6英寸是主流，8英寸開始中試，國內6英寸剛剛規模量產，8英寸處于樣品研發階段；SiC器件方面，國內中低功率的SiC MOSFET處于小批量供貨階段，在高耐壓、高厚膜外延、極端動態可靠性等方面性能低于國際水平，同時大規模制造能力與意法半導體、CREE等比較還是有一定差距 ?！蹦成婕暗谌雽w業務的上市公司內部高管告訴第一財經，GaN方面，國內企業與國際龍頭在材料和器件部分關鍵指標方面基本同步，但器件在動態特性、長期可靠性、缺陷控制等方面與國際水平有一定差距 。
賽迪顧問新材料產業研究中心首席分析師李龍近日在2022世界半導體大會上表示，第三代半導體行業總體來看還處于發展早期階段，任何一個玩家若能實現技術突破，則可以改變目前的市場格局，第三代半導體也因此成為了相關企業換道超車的重要領域 。
SiC器件最大應用市場在新能源汽車
SiC產業鏈大致可以分為襯底、外延、器件三大環節，器件包括設計、制造和封測 。
SiC器件不可直接制作于襯底上，需先用化學氣相沉積法在襯底表面生成所需薄膜材料，形成外延片，再進一步制成器件 。從技術難度來看，襯底環節技術難度最大，其次是器件環節 。襯底同時也是成本占比最高的環節，占據47% 。
襯底技術難度大首先緣于良率低 。碳化硅的晶型多達200多種，要生成所需的單一晶型（主流為4H晶型），需要控制十分精確 。另一方面，SiC襯底莫氏硬度達9.2，屬于高硬度脆性材料，加工過程中易開裂，加工完成后的襯底易存在翹曲等質量問題 。
天岳先進（688234.SH）招股書顯示，2018-2020年和2021年上半年，公司的晶棒良率分別為41%、38.57%、50.73%和49.90%，襯底良率分別為72.61%、75.15%、70.44%和75.47%，綜合良率最新約為37.7% 。
制備條件苛刻也提高了襯底制備的門檻 。生產SiC晶棒需要2500℃高溫，而硅晶只需1500℃，因此SiC晶棒需要特殊的單晶爐，還需要精確控制溫度；SiC晶棒的生產周期為7至10天，長度約2cm，而硅晶棒只需要3~4天即可長成，長度可達2m 。
“晶體生長是SiC技術難度最大的環節 ?！鄙鲜錾鲜泄靖吖芨嬖V第一財經，增加晶圓尺寸，提高長晶與加工環節的良率是降低成本的有效方法；長晶爐熱場設計、晶體生長與加工工藝優化等則能有效提高良率 。
“從整個產業鏈來看，目前國內在SiC襯底這一塊比較成熟，雖然在良率、尺寸等方面跟國外還有一些差距，但可以保證整個供應鏈的完整性 ?！敝须娍?5所化合物產品部副主任劉柱表示，從外延到工藝制造，再到最終的封測，我國具備完整的能力，目前國產產品可以覆蓋到3毫米波段以下 。

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